硅材料硅产品清洗超纯水设备zl-gcp001

硅材料硅产品清洗超纯水设备

　　设备参数：
　　名称：硅材料硅产品清洗超纯水设备
　　型号：zl-gcp001
　　进水口径：40（mm）
　　产水量：3T/H
　　工作压力：290（psi）
　　功率：5.5（w）
　　电导率：0.055us/cm
　　脱盐率：99.9%（%）
　　概述：
　　微量污染也会导致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染杂质，包括有机物和无机物。这些杂质有的以原子状态或离子状态，有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅片表面。有机污染包括光刻胶、有机溶剂残留物、合成蜡和人接触器件、工具、器皿带来的油脂或纤维。无机污染包括重金属金、铜、铁、铬等，严重影响少数载流子寿命和表面电导；碱金属如钠等，引起严重漏电；颗粒污染包括硅渣、尘埃、细菌、微生物、有机胶体纤维等，会导致各种缺陷。所以单晶硅/多晶硅/硅材料/太阳能电池硅片、半导体器件生产中必须用超纯水，目前制取超纯水工艺可分为反渗透+混床超纯水设备，二是反渗透+EDI超纯水设备，这是两种制取超纯水设备常用的工艺。超纯水主要用于清洗硅片，另有少量用于药液配制，硅片氧化的水汽源，部分设备的冷却水，配制电镀液等。水中的碱金属（K、Na等）会使绝缘膜耐压不良，重金属（Au、Ag、Cu等）会使PN结耐压降低，III族元素（B、Al、Ga等）会使N型半导体特性恶化，V族素（P、As、Sb等）会使P型半导体特性恶化，水中细菌高温碳化后的磷（约占灰分的20%~50%）会使P型硅片上的局部区域变化为N型硅而导致器件性能变坏。水中的颗粒（包括细菌）如吸附在硅片表面，就会引起电路短路或特性变差。